三星3nm制程有可能先于臺(tái)積電投產(chǎn)，力圖彎道超車
來(lái)源：桑間濮上網(wǎng)
時(shí)間：2025-12-11 08:53:58
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》5 月 2 日轉(zhuǎn)引外媒披露，星n先于三星在對(duì)投資人釋出的程有產(chǎn)力車最新簡(jiǎn)報(bào)中透露，旗下 3nm 制程將在未來(lái)幾周內(nèi)開(kāi)始投產(chǎn)，臺(tái)積圖彎北海外圍介紹的電話聯(lián)系方式 【電話微信1662+044-1662】提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)進(jìn)度比臺(tái)積電更快，電投道超力圖彎道超車，星n先于正式引爆今年臺(tái)積電與三星最先進(jìn)的程有產(chǎn)力車制程競(jìng)爭(zhēng)激戰(zhàn)。
臺(tái)積電向來(lái)不對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手置評(píng)。臺(tái)積圖彎臺(tái)積電先前于法說(shuō)會(huì)上指出，電投道超采用 FinFET 架構(gòu)的星n先于北海外圍介紹的電話聯(lián)系方式 【電話微信1662+044-1662】提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá) 3nm 依原規(guī)畫在下半年量產(chǎn)，將是程有產(chǎn)力車“下個(gè)大成長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)”。
業(yè)界人士分析，臺(tái)積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí)，電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析，程有產(chǎn)力車三星的臺(tái)積圖彎 3nm 與應(yīng)與臺(tái)積電 5nm 家族的 4nm，以及英特爾的 Intel 4 制程相當(dāng)。
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》分析，三星以“3nm”為最新制程進(jìn)度命名，表面上贏了面子，但在晶體管密度、效能等都還是落后臺(tái)積電，“實(shí)際上還是輸了里子”。
TechSpot 等外媒報(bào)導(dǎo)，三星向投資人簡(jiǎn)報(bào)表示，正全力準(zhǔn)備讓 GAA 架構(gòu)的 3nm 制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段，也就是在未來(lái)八周內(nèi)啟動(dòng)量產(chǎn)程序，意味 3nm 量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí)。
三星表示，相較于目前旗下 7nm FinFET 架構(gòu)制程，新的 3nm 制程所生產(chǎn)的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低電壓環(huán)境工作，使整體耗電量降低 50%，效能提升 30%，芯片體積減少 45%。
分析師指出，三星的 3nm 制程所能達(dá)到的晶體管密度，最終可能與英特爾的制程 4 或者臺(tái)積電的 nm 米家族當(dāng)中的 4nm 相當(dāng)，但是頻寬與漏電控制表現(xiàn)會(huì)更好，帶來(lái)更優(yōu)異的效能。
但目前無(wú)法得知的最大變量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發(fā)展的 4nm 制程就因良率太低，導(dǎo)致主要客戶大幅轉(zhuǎn)單臺(tái)積電。業(yè)界傳出，目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭，但未獲三星證實(shí)。
另一方面，三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下，臺(tái)積電總裁魏哲家先前已于法說(shuō)會(huì)上透露，旗下 3nm 應(yīng)用有諸多客戶參與，預(yù)計(jì)首年相較 5nm 與 7nm，會(huì)有更多新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。
業(yè)界認(rèn)為，蘋果、AMD、英偉達(dá)、高通、英特爾、聯(lián)發(fā)科等大廠，都會(huì)是臺(tái)積電 3nm 量產(chǎn)初期的主要客戶，應(yīng)用范圍涵蓋高速運(yùn)算、智慧手機(jī)等領(lǐng)域。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，3nm 今年下半年量產(chǎn)之后，在 PPA（效能、功耗及面積）及晶體管技術(shù)都將領(lǐng)先，且有良好的良率，有信心 3nm 會(huì)持續(xù)贏得客戶信賴。
另外，臺(tái)積電也已著手進(jìn)行更先進(jìn)的 2nm 布局，預(yù)期 2024 年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)，看好 2nm 將是業(yè)界最領(lǐng)先，且是支持客戶成長(zhǎng)最適合的技術(shù)。
臺(tái)積電向來(lái)不對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手置評(píng)。臺(tái)積圖彎臺(tái)積電先前于法說(shuō)會(huì)上指出，電投道超采用 FinFET 架構(gòu)的星n先于北海外圍介紹的電話聯(lián)系方式 【電話微信1662+044-1662】提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá) 3nm 依原規(guī)畫在下半年量產(chǎn)，將是程有產(chǎn)力車“下個(gè)大成長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)”。
業(yè)界人士分析，臺(tái)積圖彎三星雖然宣稱 3nm 邁入量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí)，電投道超但從晶體管密度、星n先于效能等層面分析，程有產(chǎn)力車三星的臺(tái)積圖彎 3nm 與應(yīng)與臺(tái)積電 5nm 家族的 4nm，以及英特爾的 Intel 4 制程相當(dāng)。
據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》分析，三星以“3nm”為最新制程進(jìn)度命名，表面上贏了面子，但在晶體管密度、效能等都還是落后臺(tái)積電，“實(shí)際上還是輸了里子”。
TechSpot 等外媒報(bào)導(dǎo)，三星向投資人簡(jiǎn)報(bào)表示，正全力準(zhǔn)備讓 GAA 架構(gòu)的 3nm 制程在今年上半年進(jìn)入投產(chǎn)階段，也就是在未來(lái)八周內(nèi)啟動(dòng)量產(chǎn)程序，意味 3nm 量產(chǎn)倒數(shù)計(jì)時(shí)。
三星表示，相較于目前旗下 7nm FinFET 架構(gòu)制程，新的 3nm 制程所生產(chǎn)的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低電壓環(huán)境工作，使整體耗電量降低 50%，效能提升 30%，芯片體積減少 45%。
分析師指出，三星的 3nm 制程所能達(dá)到的晶體管密度，最終可能與英特爾的制程 4 或者臺(tái)積電的 nm 米家族當(dāng)中的 4nm 相當(dāng)，但是頻寬與漏電控制表現(xiàn)會(huì)更好，帶來(lái)更優(yōu)異的效能。
但目前無(wú)法得知的最大變量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力發(fā)展的 4nm 制程就因良率太低，導(dǎo)致主要客戶大幅轉(zhuǎn)單臺(tái)積電。業(yè)界傳出，目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭，但未獲三星證實(shí)。
另一方面，三星也未透露采用其 3nm 制程的客戶。相較之下，臺(tái)積電總裁魏哲家先前已于法說(shuō)會(huì)上透露，旗下 3nm 應(yīng)用有諸多客戶參與，預(yù)計(jì)首年相較 5nm 與 7nm，會(huì)有更多新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。
業(yè)界認(rèn)為，蘋果、AMD、英偉達(dá)、高通、英特爾、聯(lián)發(fā)科等大廠，都會(huì)是臺(tái)積電 3nm 量產(chǎn)初期的主要客戶，應(yīng)用范圍涵蓋高速運(yùn)算、智慧手機(jī)等領(lǐng)域。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，3nm 今年下半年量產(chǎn)之后，在 PPA（效能、功耗及面積）及晶體管技術(shù)都將領(lǐng)先，且有良好的良率，有信心 3nm 會(huì)持續(xù)贏得客戶信賴。
另外，臺(tái)積電也已著手進(jìn)行更先進(jìn)的 2nm 布局，預(yù)期 2024 年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)，看好 2nm 將是業(yè)界最領(lǐng)先，且是支持客戶成長(zhǎng)最適合的技術(shù)。
